评估 SiC MOSFET 和 SiC IGBT
相关推荐
-
市场一片火热,第三代半导体——碳化硅究竟用在哪?
SiC 是目前相对成熟.应用最广的宽禁带半导体材料,基于 SiC 的功率器件相较 Si 基器件具有耐高压.耐高温.抗辐射.散热能力佳.导通损耗与开关损耗更低.开关频率更高.可减小模块体积等杰出特性,不 ...
-
三极管和MOSFET选型规范
三极管和MOSFET选型规范
-
下游市场提振,碳化硅技术已成新能源时代超强风口
随着新能源汽车.光伏.风电.充电桩.智能电网等能源行业,以及航空航天.轨道交通.高端装备等领域的快速发展,催生了对电力电子器件更高性能的要求.传统硅基功率器件受材料特性限制已达到理论极限,第三代半导体 ...
-
Si & SiCGaN--前浪&后浪
Si & SiCGaN--前浪&后浪 功率半导体那些事儿 |聊聊功率半导体那些事儿2020/08/04 20:33 相关标签:半导体材料新材料制造业 现今流行的半导体材料: Si.Si ...
-
【智赢智能 | 头条】碳化硅在下一代工业电机驱动器中的作用
国际能源署(IEA)估计,电机功耗占世界总电力的45%以上.因此,找到最大化其运行能效的方法至关重要.能效更高的驱动装置可以更小,并且更靠近电机,从而减少长电缆带来的挑战.从整体成本和持续可靠性的角度 ...
-
SiC MOSFET与SiC SBD换流单元瞬态模型
2017第十二届中国电工装备创新与发展论坛 会议由中国电工技术学会主办,定于2017年8月19-21日在北京铁道大厦召开,本届大会主题为"电网技术创新与电能新业态".浏览会议详情和 ...
-
华电学者发表研究成果,揭示不同老化试验方法下的SiC MOSFET失效机理
中国电工技术学会活动专区 CES Conference SiC MOSFET中的界面陷阱会造成阈值电压漂移,为探究和对比SiC MOSFET在不同老化试验方法下的失效机理和失效表征参数的变化规律,新能 ...
-
成功开发了SiC单片功率集成电路 - -世界第一! 将SiC纵型MOSFET和SiC CMOS单片集成化-
成功开发了SiC单片功率集成电路 - -世界第一! 将SiC纵型MOSFET和SiC CMOS单片集成化- 重点 将SiC立式MOSFET和SiC CMOS集成在一个芯片上,验证了开关动作 通过开发独 ...
-
新品周递|安森美半导体发布新的650V SiC MOSFET
来源:哔哥哔特商务网 [哔哥哔特导读]2021年2月15日-2月19日,本周精选新品速递来袭,详情请查看下文. 新品资讯导读: 1.2D AMPLIVAR端子,优化制造流程,满足较大CMA范围 2.安 ...
-
[视频]SiC MOSFET短路特性及保护方法
[视频]SiC MOSFET短路特性及保护方法
-
学术简报︱SiC MOSFET的Saber建模及其在光伏并网逆变器中的应用和分析
摘要 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)的研究人员周林.李寒江.解宝.李海啸.聂莉,在2019年第20期<电工技术学报>上撰文指出,SiC MOSFET高频.高效.高功 ...
-
学术简报︱SiC MOSFET短路检测与保护研究综述
摘要 江苏省智能电网技术与装备重点实验室(东南大学)的研究人员吴海富.张建忠.赵进.张雅倩,在2019年第21期<电工技术学报>上撰文指出,随着宽禁带半导体器件的发展,SiC MOSFET ...
-
重庆大学李辉等:基于SiC MOSFET直流固态断路器关断初期电压尖峰抑制方法
★中国电工技术学会出品★ 致力于产业界与学术界融合创新的品牌会议 了解大会征文详情,请戳下面标题 ☟ 两大技术论坛联合征文︱<电工技术学报><电气技术>两刊携手打造学术盛宴 输 ...
-
用于取代IGBT的碳化硅(SiC)MOSFET 技术发展回顾
碳化硅(SiC)是一种广泛使用的老牌工业材料,1893年已经开始大规模生产了,至今一直在使用.不过自然界中很难找到碳化硅,在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅.由于碳化硅的硬度很高,碳化硅的主要用途是用作 ...