PIE工作职责（2）转发
21. Poly （多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些?
答：①Gate oxide(栅极氧化层) 的生长；
②Polyfilm的沉积及SiON(在光刻中作为抗反射层的物质) 的沉积）；
③Poly 图形的形成(Photo)；
④Poly 及SiON 的Etch ；
⑤Etch 完后的ash(plasma(等离子体) 清洗) 及光刻胶去除（PRstrip）；
⑥Poly 的Re-oxidation（二次氧化）。
22. Poly （多晶硅）栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地方？
答：①Poly 的CD(尺寸大小控制；
②避免Gate oxie 被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.
23. 何谓 Gate oxide (栅极氧化层)?
答：用来当作器件的介电层，利用不同厚度的 gateoxide ,可调节栅极电压对不同器件进行开关
栅极电压
Gate(栅极)
漏极电压
Source
源极栅极氧化层
Substrate 基材基本(Device)器件
示意图Drain 漏极
24. 源/漏极(source/drain)的形成步骤可分为那些?
答：①LDD 的离子注入（Implant）；
②Spacer 的形成；
③N /P IMP高浓度源/漏极(S/D)注入及快速热处理(RTA：Rapid Thermal Anneal) 。
25. LDD 是什幺的缩写? 用途为何?
答：LDD:Lightly Doped Drain. LDD是使用较低浓度的源/漏极, 以防止组件产生热载子效应的一项工艺。
26. 何谓 Hotcarrier effect (热载流子效应)?
答：在线寛小于0.5um 以下时, 因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场, 导致载流子在移动时被加速产生热载子效应, 此热载子效应会对gateoxide 造成破坏, 造成组件损伤，从而导致VT shift，以及衬底电流增大。
27. 何谓Spacer? Spacer蚀刻时要注意哪些地方？
答：在栅极(Poly)的两旁用dielectric（介电质）形成的侧壁，主要由Ox/SiN/Ox组成。蚀刻spacer 时要注意其CD 大小，profile(剖面轮廓) ，及remainoxide(残留氧化层的厚度)
28. Spacer 的主要功能?
答：①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD 区域;
②作为Contact Etch时栅极的保护层。
29. 为何在离子注入后, 需要热处理( Thermal Anneal)的工艺?
答：①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤;
②使注入离子扩散至适当的深度;
③使注入离子移动到适当的晶格位置。
30. SAB 是什么的缩写? 目的为何？
答：SAB ：Salicide lock, 用于保护硅片表面，在RPO(Resist Protect Oxide)
的保护下硅片不与其它Ti, Co形成硅化物(salicide）。
31. 简单说明SAB 工艺流程中要注意哪些?
答：①SAB 光刻后（photo ），刻蚀后(etch)的图案（特别是小块区域）。要确定有完整的包覆（block ）住必需被包覆（block ）的地方。
②remain oxide (残留氧化层的厚度) 。
③ 有RPO 保护的地方
32. 何谓硅化物( salicide)?
答：Si 与 Ti 或 Co 形成 TiSix 或 CoSix,一般来说是用来降低接触电阻值（Rs, Rc），它们形成的化合物通常有两种相，一般先形成一种电阻略高的相，然后还要通过RTA形成低阻相，从而达到降低接触电阻的目的。
33. 硅化物(salicide)的形成步骤主要可分为哪些?
答：①Co(或Ti) TiN的沉积；
②第一次RTA （快速热处理）来形成Salicide。
③将未反应的Co(Ti)以化学酸去除。
④第二次RTA (用来形成Ti 的晶相转化, 降低其阻值) 。
34. MOS 器件的主要特性是什幺？
答：它主要是通过栅极电压（Vg ）来控制源，漏极(S/D)之间电流，实现其开关特性。
35. 我们一般用哪些参数来评价device 的特性？
答：主要有Idsat 、Ioff 、Vt 、Vbk(breakdown)、Rs 、Rc ；一般要求Idsat 、 Vbk (breakdown)值尽量大， Ioff 、Rc 尽量小，Vt 、Rs 尽量接近设计值.
36. 什么是Idsat?Idsat 代表什幺意义？
答：饱和电流。也就是在栅压(Vg)一定时，源/漏(Source/Drain)之间流动的最大电流.
37. 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat?
答：PolyCD(多晶硅尺寸) 、Gateoxide Thk(栅氧化层厚度) 、AA(有源区) 宽度、Vt imp.条件、LDDimp.条件、N /P imp. 条件，阱浓度。
38. 什么是Vt? Vt 代表什幺意义？
答：阈值电压（ThresholdVoltage），就是产生强反型所需的最小电压。当栅极电压 Vg< Vt时, MOS处于关的状态，而Vg 〉=Vt时，源/漏之间便产生导电沟道，MOS 处于开的状态。
39. 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Vt?
答：Poly CD、Gateoxide Thk. (栅氧化层厚度) 、AA(有源区) 宽度阱浓度及Vt imp.条件，
40. 什么是Ioff? Ioff小有什幺好处
答：关态电流，Vg=0时的源、漏级之间的电流，一般要求此电流值越小越好。Ioff 越小, 表示栅极的控制能力愈好, 可以避免不必要的漏电流(省电) 。
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