湖南大学的成果：芯片工艺至1nm以下，还不需要高精度光刻机？ / 开普饭

前两日,多家媒体报道称,湖南大学的研究团队成功研制出了超短沟道的垂直场效应晶体管(VFET),这项成就的突破意义重大.据研究团队的专家介绍,该晶体管技术可以将晶体管做到只有3nm大小,沟道长度更是只有 ...

4 月 27 日,<自然·电子学>(Nature Electronics)杂志刊登了湖南大学物理与微电子科学学院教授.麻省理工科技评论 2019 年"35 岁以下科技创新 35 ...

GAA FET将取代FinFET,但过渡的过程将是困难且昂贵的. 作者 | 包永刚一些晶圆代工厂仍在基于下一代全能栅极晶体管开发新工艺,包括更先进的高迁移率版本,但是将这些技术投入生产将是困难且昂贵 ...

Sam Zeloof 目前时一名大四学生,近期在其个人博客上分享了在自家车库晶圆厂自制出的Z2芯片 (http://sam.zeloof.xyz/second-ic). 据Sam Zeloof介绍,为 ...

3月5日,英国<每日邮报>发表题为<全球沙子短缺,可能意味着不能为新冠疫苗生产足够的玻璃瓶>的报道称,专家警告说,全球正面临沙子短缺危机.随着新冠疫苗的分发,预计未来两年全球将 ...

[4月21日讯]相信大家都知道,目前全球芯片行业已经进入到了5nm工艺高端芯片时代,在台积电.三星这两大芯片代工厂商助力下,让苹果.高通.三星.华为等芯片厂商迈入到了5nm工艺时代,但随着华为海思遭受 ...

SBD是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)的简称.SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结 ...

当硅基芯片突破1nm之后,量子隧穿效应将使得"电子失控",芯片失效(确切的说,5nm甚至7nm以下,就已经存在量子隧穿效应).这种情况下,替换芯片的硅基底,也许是芯片进一步发展的可 ...

现在已经有芯片代工厂的光刻工艺进化到7nm EUV工艺了,同时不久后就会有芯片采用7nm EUV工艺制造.此前台积电已经公布了他们的EUV时代光刻工艺,现在三星也公布了他们的EUV工艺规划,比较有意思 ...

南极熊导读:如今,芯片缺货已经成为影响全球众多行业的问题.3月26日,蔚来汽车宣布,因芯片短缺,将合肥江淮汽车工厂的生产暂停5天.福特.通用.本田.大众等多家汽车制造商也都因芯片短缺遭遇停产的冲击.就 ...

IAUTO 速度深度态度导|语 2021/05/16 风暴本身,就是时代的进步. 文丨北岸编辑丨小叮当保罗·克利(Paul Klee)有幅画,叫<新天使>(Angelus Nov ...

随着科技的发展,手机这类的电子产品更新迭代的越来越快,以苹果公司为例,在2020年就发布了4款数字系列,以及其他机型,数字系列分别为iPhone12系列与iPhone SE2.但随着时间的推移,iPh ...

湖南大学的成果：芯片工艺至1nm以下，还不需要高精度光刻机？