我国半导体领域的专家盘点
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细数国外金刚石半导体材料和器件发展情况
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氮化物 (AlN,TiN)—Al203复合材料|TiC—AlN/Al复合材料|纳米AlN/石蜡复合材料
氮化铝晶体的性质 氮化铝晶体的化学性质 在标准大气压下,AlN晶体在1700℃左右开始缓慢分解成Al蒸气和氮气,当温度达到2200℃时AlN迅速分解成Al蒸气和氮气,在不同温度下AlN分解后的分压如图 ...
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氮化物 氮化锆超高温陶瓷复合材料/ZrN-Si3N4复合材料/氮化锆(Zr-Ti—N)复合薄膜材料/氮化锆包覆钛酸锂复合材料
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GaN HEMT发展现状与市场前景
GaN HEMT发展现状 1993年M.A.Khan等人制备了第一只氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),随后GaN HEMT在高频微波大功率方面开展了广泛的研究,经过后续十几年的研究发展,解 ...
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【芯视野】寻找后摩尔时代的颠覆性技术:材料将是焦点中的焦点
半导体技术的世代交替已经隐隐在望,那么谁将会主宰后摩尔时代的技术走向呢? 作者|李延 校对|Andrew 集微网·爱集微APP,各大主流应用商店均可下载 集微网消息,1947年12月,美国贝尔实 ...
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相声领域辈分总盘点,在世辈分最大的并非马志明
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