DRAM 制程难以突破10nm，挑战越来越大 / 开普饭

[1αnm内存全球首创!容量猛增40%]美光宣布,已开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片,这也是迄今为止最先进的DRAM工艺,拥有LPDDR5的时候可以让容量密度提升40%,功耗降低15%, ...

江波龙嵌入式存储品牌FORESEE推出了3款国产化内存,分别为DDR4 SODIMM 8GB.DDR4 UDIMM 8GB.DDR4 UDIMM 16GB,核心DRAM均采用长鑫存储的颗粒,并且从原材 ...

与台积电在7nm节点抢先完成布局不同,三星在7nm节点要慢了一些,上周才宣布了7nm EUV工艺正式量产,很大一个原因就是三星在7nm节点上直接上了EUV光刻工艺,没有使用过渡工艺,这要比英特尔.台积 ...

三星于昨晚宣布其已经在V1工厂中开启EUV生产线的大规模量产,这条生产线是三星第一条采用EUV技术的专用生产线. 三星的V1工厂位于韩国本土,始建于2018年2月份,并已经在去年下半年开启了晶圆生产的 ...

全球DRAM内存市场主要由三星.SK Hynix及美光三家统治,他们的产能占了全球市场份额95%以上,其中三星一家就能占据全球45%以上的份额,是绝对的王者.在技术上,不久前三星首发了12GB LPD ...

导读:2021年,沉寂已久的存储器领域,DDR5.EUV和3D技术带来的竞争正在悄然加剧. 来源:BusinessKorea 据BusinessKorea报道,三星电子计划在2021年下半年正式推出下 ...

更新: Intel现在对此进行了回应,说着张幻灯片并非官方公布的,其实ASML CEO更改了Intel今年9月份一次会议上幻灯片,实际原本展示过的图中没有公布各个时间的制程节点数字,造成误解,原图如下 ...

近两年先进半导体制造主要是也终于迎来了EUV光刻机,这也使7nm之后的工艺发展得以持续进行下去.台积电和三星都对自家工艺发展进行了规划,现在两家已经逐步开始进行7nm EUV工艺的量产,随后还有5nm ...

半导体元件的制造,制程越小越困难,所面临的物理限制越来越高,现在能量产的工艺节点已经来到7nm,往后制程的升级越来越困难,所以催生出了EUV光刻技术,比如在同样是7nm制程的情况下,可将晶体管密度提升 ...

10月12日消息,据外媒报道,全球最大存储芯片制造商三星电子周二宣布,该公司开始使用极紫外光刻(EUV)技术批量生产业界最小的14纳米DRAM芯片,这有助于其巩固在存储行业的领导地位. 继去年3月出货 ...

作为其2019年Q1财报业绩公布的一部分,SK海力士宣布,公司将提高其第一代10纳米级制造工艺(即1X nm)的DRAM产量,并将今年下半年开始生产.销售其制造的第二代10纳米级制造技术(又名1Y n ...

作为三大DRAM供应商之一的美光将他们的HBM2搁置了很久,目前的市场上,SK海力士和三星都已经推出了HBM2产品,甚至已经发展了多代.不过美光在最近的财务会议上面透露,他们将会在年内发售HBM2显存 ...

在全球DRAM内存芯片市场上,SK Hynix目前的市场份额达到了29%,仅次于三星的45%,位列全球第二,领先于美光.在DRAM技术上,今年三星及美光都宣布了新一代1Ynm工艺的DRAM内存芯片,S ...

目前DRAM内存的制程处在10nm级工艺,其中第三代10nm级工艺被业界称为1znm工艺,该工艺节点是当前DRAM内存在量产方面的最新节点,三星最早去年三月份首发了1znm工艺的8Gb DDR4 DR ...

半导体制造工艺进入10nm之后,难度越来越大,Intel为此多次调整了产品策略,10nm工艺的产品推迟到今年底,以致于很多人认为摩尔定律将死.推动科技进步的半导体技术真的会停滞不前吗?这也不太可能,7 ...

导读近日,英特尔公布了公司有史以来最详细的制程工艺和封装技术路线图.除了公布其近十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia之外,英特尔还重点介绍了迅速 ...

一看到DRAM供应商,可能大家都只会想到三星,SK海力士和美光,但别忘了在台湾还有一个南亚科技,只是南亚在PC市场不如三大供应商强势而已.在看到DRAM市场需求如此旺盛后,南亚自然不会坐视不理,现在南 ...

此前有报道称10月份DRAM内存现货价格终于降价了,4GB及8GB内存模组降幅约为10%,预计2019年还会再降20%,内存市场将迎来拐点.不过今年Q4季度即便内存降价,前三个季度的内存依然是上涨,所 ...

DRAM 制程难以突破10nm，挑战越来越大