盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程 / 开普饭

近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点. 抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料.器件.封装模块和系统开发的自主 ...

当前在GaN外延片方面,主要有两种衬底技术,分别是GaN-on-Si(硅基氮化镓)和GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓),其中GaN-on-SiC则结合了SiC优异的导热性和GaN的高功率密度和低损 ...

来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)编译自「semiengineering」,谢谢. 经过多年的研发,几家供应商正在接近出货基于下一代宽带隙技术的功率半导体和其他产品. 这些器件利用了新材 ...

第三代半导体材料以氮化镓.碳化硅.氧化锌.金刚石为代表,是5G时代的主要材料,其中氮化镓和碳化硅的市场和发展空间最大. 出品|每日财报作者|刘雨辰受到外围市场和国际环境的影响,A股近期走势非常弱, ...

"我特别特别喜欢这个GaN(氮化镓)充电器,摄影师来多拍几张照片."在小米10手机的在线发布会上,雷军丝毫没有掩饰对小米GaN充电器的喜爱. 小巧.高效.发热低,是雷军给予小米Ga ...

成果推送:GaN基肖特基二级管结终端设计思路探讨天津赛米卡尔科技有限公司技术团队近期对GaN基肖特基二极管(SBD)器件的边缘结终端进行了设计与器件制备[图1(a)],该器件架构解决了传统沟槽MOS ...

导语联烯是一类在天然产物中广泛存在的结构骨架,还能以其为合成子,通过简单合成构建许多药物或材料领域高价值的有机分子.近年来,过渡金属催化1,3-烯炔进行1,4-双官能化已经成为简洁高效地构建多取代联 ...

GaN是第三代半导体材料,不仅是重要的发光材料,也是GaN HEMT器件的基础材料.GaN HEMT器件使用的GaN材料技术和LED使用的GaN技术同根同源.GaN HEMT器件是虚拟现实.5G传输. ...

中国电工技术学会活动专区 CES Conference 王懿杰,IEEE Senior Member,哈尔滨工业大学教授.博士生导师,2005年.2007年与2012年于哈尔滨工业大学获得学士.硕士和 ...

摘要 :概述了碳纤维的研发现状.产品分类及性能,并从原料制备.沥青熔融纺丝.预氧化.炭化及石墨化 4 个阶段介绍了沥青基碳纤维的制备过程.综述了目前沥青基碳纤维制备的研究进展及各阶段的主要作用,指出中 ...

编辑推荐:本文通过典型的表面清洁和低温退火工艺在大气条件下直接将氧等离子体活化的InP 基板键合在NH3/H2O2处理过的金刚石衬底上,以实现高效散热,为下一代高频和高功率操作的InP器件晶体管的制备 ...

新冠疫情爆发至今,截至今日,全球已有一亿一千万余人确诊,两百五十余万人死亡.根据世界卫生组织备案,至今全球有几百种疫苗同时研发.Citeline数据库显示,以COVID-19 vaccine为研究内容 ...

最新成果展示:利用极化效应实现自驱动模式的GaN基紫外光电探测器紫外光电探测器在导弹预警.火灾检测.公共安全和环境检测等领域具有广泛的用途.基于肖特基金属接触电极的MSM结构紫外探测器由于制备工艺相 ...

盘点金刚石衬底GaN基微波功率器件研究进程