第三代宽禁带功率半导体迎来加速发展，我国或能赶超 / 开普饭

半导体是一种介于导体与绝缘体之间的材料,它具有导电性可控的特点.当半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化,在纯净半导体中加入微量杂质,其导电能力会急剧增强.自科学家法拉第发现硫化银以来, ...

"我特别特别喜欢这个GaN(氮化镓)充电器,摄影师来多拍几张照片."在小米10手机的在线发布会上,雷军丝毫没有掩饰对小米GaN充电器的喜爱. 小巧.高效.发热低,是雷军给予小米Ga ...

第三代半导体材料以氮化镓.碳化硅.氧化锌.金刚石为代表,是5G时代的主要材料,其中氮化镓和碳化硅的市场和发展空间最大. 出品|每日财报作者|刘雨辰受到外围市场和国际环境的影响,A股近期走势非常弱, ...

近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业｡ GaN具有禁带宽度大(室温下为3.39eV)､击穿电场强度高(3.3MV/cm)､饱和电子速度大(2.5×107cm/s)､热导率高(1.5 ...

来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)编译自「semiengineering」,谢谢. 经过多年的研发,几家供应商正在接近出货基于下一代宽带隙技术的功率半导体和其他产品. 这些器件利用了新材 ...

进入21世纪以来,随着摩尔定律的失效大限日益临近,寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫.在多位选手轮番登场后,有两位脱颖而出,它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)--并称为第三代半导体材料的 ...

2006年,美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),4GHz时的输出功率密度达到 41.4W/mm.近十多年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业. 氮化镓 ...

GaN HEMT发展现状 1993年M.A.Khan等人制备了第一只氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),随后GaN HEMT在高频微波大功率方面开展了广泛的研究,经过后续十几年的研究发展,解 ...

原创2021-08-12 06:00·老余股票说国内储能商业模式进入加速完善期,鼓励可再生能源发电企业,自建或购买,调峰能力,增加并网规模,标志着国内储能发展进入拐点,行业加速发展预期再抬升,储能板块 ...

功率半导体迎来发展机遇,华微电子抢先入局在国内功率半导体市场发展是非常不错的,虽然因为疫情的影响,被迫按下暂停键,但是华微电子作为行业内的龙头企业,为助推行业发展,积极复工复产,践行企业社会责任. ...

报告出品方/作者:开源证券,王珂核心观点:"碳中和"背景下氢能产业迎来发展机遇 "碳中和"背景下,燃料电池产业的发展对于交通运输业的脱碳或发挥重要作用: 从保 ...

(报告出品方/作者:中信证券) 1. 为什么要关注汽车功率半导体? 1.1 从传统燃油车到智能电动车,核心零部件出现巨大变化电动车以驱动电机.动力电池.电控取代了传统汽油车"三大件&quo ...

同顺-异动眼 2021-06-16 今日早盘,第三代半导体板块强势走高,截至发稿板块涨幅超过4%,板块中聚灿光电20CM涨停,派瑞股份涨超10%,另有金溢科技.新洁能.华微电子涨停,乾照光电 ...

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同顺-深研所 2021-06-17 14:47 据媒体报道,全球功率半导体龙头英飞凌正在酝酿新一轮产品涨价,MOSFET的涨幅将有12%,预计本月中旬执行.还有多家功率半导体厂商也在近期发布了涨 ...

来源:内容来自半导体行业观察(ID:icbank)原创,作者:畅秋,谢谢! 近期,行业出现了一股热潮,即越来越多的模拟芯片企业,特别是功率半导体厂商或业务部门,热衷于兴建12英寸晶圆产线. 本周,就有 ...

中国经济网7月7日讯(记者朱国旺)"国际上多肽药物风起云涌,我们多肽产业近年来虽然也取得一些进步,但主要还是以配套服务为主,制剂企业较少.对这个严峻的现实要有清醒的认识,希望专家.企业家和 ...

第三代宽禁带功率半导体迎来加速发展，我国或能赶超