碳化硅与氮化镓材料的同与不同 / 开普饭

禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构.禁带越宽,意味着电子跃迁到导带所需的能量越大,也意味着材料能承受的温度和电压越高,越不容易成为导体:禁带越窄,意味着电子跃迁到 ...

GaN HEMT发展现状 1993年M.A.Khan等人制备了第一只氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),随后GaN HEMT在高频微波大功率方面开展了广泛的研究,经过后续十几年的研究发展,解 ...

"我特别特别喜欢这个GaN(氮化镓)充电器,摄影师来多拍几张照片."在小米10手机的在线发布会上,雷军丝毫没有掩饰对小米GaN充电器的喜爱. 小巧.高效.发热低,是雷军给予小米Ga ...

有研新材:目前有研光电拥有60万片/年的GaAs衬底产能. 云南锗业:公司GaAs单晶片产能为80万片/年(折合4英寸). 闻泰科技:收购的安世GaN功率器件已通过车规级认证,开始向客户供货,SiC技 ...

一台智能手机里面装了多少关键芯片?最为人所知的是处理器 AP.存储芯片 DRAM 和 NAND Flash; 其次是肩负信号接收.处理.传输的通信元件,主要由基频芯片.射频收发器.射频前端及天线四大部 ...

2021年05月21日 11:16:25 来源:AI芯天下作者 | 方文图片来源 | 网络半导体材料演进历程第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半导体的产业园. 第二代材料 ...

第三代半导体材料以氮化镓.碳化硅.氧化锌.金刚石为代表,是5G时代的主要材料,其中氮化镓和碳化硅的市场和发展空间最大. 出品|每日财报作者|刘雨辰受到外围市场和国际环境的影响,A股近期走势非常弱, ...

2006年,美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),4GHz时的输出功率密度达到 41.4W/mm.近十多年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业. 氮化镓 ...

2021年有结构性机会,长线具备大机会的板块:第三代半导体第三代半导体是以碳化硅SiC.氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有更宽的禁带宽度.更高的导热率.更高的抗辐射能力.更大的电子饱和漂移速率 ...

碳化硅与碳化硅(SiC)功率器件在用新型半导体材料制成的功率器件中,最有希望的是碳化硅(SiC)功率器件.它的性能指标比砷化镓器件还要高一个数量级,碳化硅与其他半导体材料相比,具有下列优异的物理特 ...

来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)编译自「semiengineering」,谢谢. 经过多年的研发,几家供应商正在接近出货基于下一代宽带隙技术的功率半导体和其他产品. 这些器件利用了新材 ...

碳化硅与氮化镓材料的同与不同