【业内热点】同为宽禁带半导体材料，SiC和GaN有何不同？ / 开普饭

近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业｡ GaN具有禁带宽度大(室温下为3.39eV)､击穿电场强度高(3.3MV/cm)､饱和电子速度大(2.5×107cm/s)､热导率高(1.5 ...

浅谈Ga2O3功率半导体器件仿真技术的难点目前,以GaN和SiC为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大.临界电场高和电子饱和漂移速度快等优势,突破了硅与传统化合物材料(GaAs.InP等)技术发展的 ...

碳化硅与碳化硅(SiC)功率器件在用新型半导体材料制成的功率器件中,最有希望的是碳化硅(SiC)功率器件.它的性能指标比砷化镓器件还要高一个数量级,碳化硅与其他半导体材料相比,具有下列优异的物理特 ...

近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点. 抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料.器件.封装模块和系统开发的自主 ...

GaN HEMT发展现状 1993年M.A.Khan等人制备了第一只氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),随后GaN HEMT在高频微波大功率方面开展了广泛的研究,经过后续十几年的研究发展,解 ...

"我特别特别喜欢这个GaN(氮化镓)充电器,摄影师来多拍几张照片."在小米10手机的在线发布会上,雷军丝毫没有掩饰对小米GaN充电器的喜爱. 小巧.高效.发热低,是雷军给予小米Ga ...

进入21世纪以来,随着摩尔定律的失效大限日益临近,寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫.在多位选手轮番登场后,有两位脱颖而出,它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)--并称为第三代半导体材料的 ...

第三代半导体材料以氮化镓.碳化硅.氧化锌.金刚石为代表,是5G时代的主要材料,其中氮化镓和碳化硅的市场和发展空间最大. 出品|每日财报作者|刘雨辰受到外围市场和国际环境的影响,A股近期走势非常弱, ...

2006年,美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),4GHz时的输出功率密度达到 41.4W/mm.近十多年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业. 氮化镓 ...

近年来,随着功率半导体器件.工业半导体.汽车电力电子等领域的空前发展,第三代半导体材料越发凸显其重要性与优越性.目前发达国家都将第三代半导体材料及相关器件等的发展列为半导体重要新兴技术领域.那么,什么 ...

海砂能不能采?怎么采?如何发展?成为业内讨论的话题. 1 调研后的几点建议要解决采挖合法性问题.自国家海洋局把海砂开采海域审批权限下发地方后,地方出于保护本区域生态环境要求,提出禁止采掘海砂.禁用海 ...

近年来,物联网大数据推动了对工业"智能边缘"的扩展,智慧工厂.智慧城市.自动驾驶汽车等新兴领域快速演进,随之带来的是对更多内存存储的迫切需求.美光科技作为全球第三大存储公司,一直以 ...

全球领先的分立元件.逻辑元件与MOSFET元件制造商Nexperia在独立两年后携全新创新展台亮相慕尼黑上海电子展!落户中国两年半,安世半导体表现出来了非常可观的收入和产能增长,其中的诀窍是什么?安世 ...

对于当下的手机厂商来说,无论全面屏.挖孔屏,水滴屏.拍照手机都已经很难调动大规模的用户换机热情了,主流旗舰机种的屏幕占比普遍已在80%以上,90%的屏占比也已经成为常态,直板手机的创新提升的空间以及操 ...

随着全球范围内日益严格的节能标准和法规出台,大量BLDC(无刷直流电机)应用得到迅猛增长,而既可实现能源和空间节省,又能精简BOM的创新解决方案,获得了用户的欢迎. 根据权威市场研究公司IHS最近发布 ...

SiFive是全球首家基于免费开源RISC-V指令集架构的定制半导体供应商,由RISC-V发明团队Krste Asanovic.Yunsup Lee和Andrew Waterman于2015年创建,它 ...

随着人工智能(AI).机器学习(ML)等对数据处理能力要求的提升,处理器核心数量的倍数增加并不能带来计算能力的倍数增加,嵌入FPGA的SoC则可以带来更快数据处理能力,同时功耗也更低. 近日,基于现场 ...

随着各国5G研发和部署的加速,5G因上网速超快.网络容量大.网路延时低的优势,可为大规模增加的数据流量提供支持,因而受到消费者追捧.特别是各大运营商先后开启无限流量大战,貌似为消费者消除了最后一点后顾 ...

【业内热点】同为宽禁带半导体材料，SiC和GaN有何不同？