1nm以下制程获得重大突破摩尔定律的“续命丹”来了？ / 开普饭

孙首席环球视野,看得远,聊得深 165篇原创内容公众号来源:新智元 3nm,2nm, 1nm,先进制程逐渐逼近「硅」的物理极限!近日,「北大才女」孔静教授带领团队找到了代替「硅」的新兴半导体材料 ...

近年来,非硅计算机晶体材料研究不断突破,甚至被认为是为计算机领域带来了新的希望,可与硅(Si)技术相竞争.专家认为,尽管如此,其对硅主导的集成电路芯片技术,尚无法形成实质性改变. ■记者秦志伟最近 ...

GAA FET将取代FinFET,但过渡的过程将是困难且昂贵的. 作者 | 包永刚一些晶圆代工厂仍在基于下一代全能栅极晶体管开发新工艺,包括更先进的高迁移率版本,但是将这些技术投入生产将是困难且昂贵 ...

当硅基芯片突破1nm之后,量子隧穿效应将使得"电子失控",芯片失效(确切的说,5nm甚至7nm以下,就已经存在量子隧穿效应).这种情况下,替换芯片的硅基底,也许是芯片进一步发展的可 ...

如今,摩尔定律已在失效的边缘,集成电路中可容纳的晶体管数目已到极限.虽然台积电.三星仍在推进3nm,乃至2nm制程,但接下来的研发无疑愈发艰难,成本也会更高. 摩尔定律走到极限目前,制造晶体管的主要 ...

浅谈半导体工艺变革 MOSFET基础纯净的硅中所有的价电子都参与了成键(下图(a)),里面没有自由电子是很少的,所以是电的不良导体.但它的导电性可以通过在硅晶格中引人称为掺杂剂(dopant)的 ...

Intel.TSMC及三星三大半导体工厂今年将量产10nm工艺,他们中进度快的甚至准备在明年上马7nm工艺,2020年前后则要推出5nm工艺.但是随着制程工艺的升级,半导体工艺也越来越逼近极限了,制造 ...

☞ 这是金属加工(mw1950pub)发布的第13175篇文章编者按上周我们和大家分享过1纳米以下制程重大突破!台积电官宣"铋"密武器,今天我们一起来看看带领团队将晶圆的先进制 ...

新智元报道来源:MIT 编辑:yaxin, LQ [新智元导读]3nm,2nm, 1nm,先进制程逐渐逼近「硅」的物理极限!近日,「北大才女」孔静教授带领团队找到了代替「硅」的新兴半导体材料 ...

光刻机光源的波长与芯片制程技术成反比,波长越短,光刻机所支持的芯片制程技术就越高.而支撑摩尔定律向前推进的光刻机,因硅基芯片内置规格的有限性,晶体管集成度临近天花板,这让半导体厂商很难继续向前发展. ...

DRAM制造商正进入下一个扩展阶段,但随着内存技术接近物理极限,他们面临着一些挑战. DRAM用于系统中的主存储器,当今最先进的设备基于大约18nm至15nm的工艺.DRAM的物理极限约为10nm.研 ...

IBM发布全球首款2纳米芯片. 不久前,IBM成为全球首家推出2纳米节点芯片的公司.该公司表示,与目前的7纳米芯片相比,这款新的芯片能够在耗电量相同的情况下将计算性能提高45%,亦即在维持相同计算性能 ...

将500亿个晶体管集成到指甲大小的芯片上?蓝色巨人称:我们做到了!近日,IBM宣布了他们的2纳米工艺技术,并称比目前主流的7纳米芯片快 45%,功耗减少 75%.然而,2纳米的说法却引发了当下对工艺节 ...

其实,已开发出的2nm芯片和即将商用之间没有必然联系. " 作者 | 代润泽 2nm芯片真的来了? IBM宣布推出全球首个2nm芯片制造技术引起了大家的注意.与7nm的技术相比,预计将带来4 ...

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