STM32 GPIO模式汇总分析

IO也叫GPIO，即通用输入输出端口，主要有一下几种模式：
1、浮空输入模式；
2、上拉输入；
3、下拉输入；
4、模拟输入；
5、 推挽输出；
6、 开漏输出；
7、 复用推挽输出；
8、 复用开漏输出。

以下是对STM32 MCU 的GPIO进行分析

1、浮空输入模式

上图红色的表示便是浮空输入的过程，外部输入0时,读出的就是0；外部输入1时，读出的就是1；外部没有输入，IO处于阻塞读不出电平状态。

用处：感觉在信号处理方面用的比较好，比如在读取一段一段的波形，可以清晰的知道什么时候是0信号，什么时候是1信号，什么时候是没有信号的。

类比：51单片机找不到类似的输入模式

2、上拉输入

上拉输入和浮空输入的区别是，上拉电阻的开关关闭了，如上图所示。

当IO没有输入的时候，IO电平等于VDD即1电平；当IO输入低电平的事就是VDD和IO口形成一个闭环电路，根据分压法IO口出分担的电压为0。

当IO输入为1时，IO口电压和VDD相等，上拉电阻好比断开了，IO口的电压还是0。

用处：在按键使用的时候特别适用，按键的一端接地，一端接IO口，当按键没有按下的时候电平为高电平，当按键按下的时候IO是低电平。

类比：51单片机P1 P2 P3口就是上拉输入的，大家可以回忆一下51单片机的按键操作，我们应该知道51单片机除了P0口内部没有上拉电阻其他的IO都有上拉电阻。大家应该明白了51单片机没有按键的时候，我们读到的是高电平了吧！

小计：

上拉输入，不管输入1还是不输入IO的电平都是1，输入IO口的电平是0。 PS按键是共地还是共VCC选择的时候要慎重。

3、下拉输入

下拉输入和上拉输入的区别是：上拉电阻的开关打开了，下拉电阻的开关关闭了，如上图所示。

当IO没有输入的时候，IO电平等于VSS即0电平；当IO输入高电平的时候IO口就和VSS组成一个闭合电路，根据分压法，电压都分担到了电阻上，所以IO口电平为高电平；当IO输入为低电平的时候，IO口肯定是低电平。

用处：在按键使用的时候特别适用，按键的一端接VCC，一端接IO口，当按键没有按下的时候电平为低电平，当按键按下的时候IO是高电平电平。

类比：51单片机没有类似的IO口

PS按键是共地还是共VCC选择的时候要慎重。

4、模拟输入

模拟输入，大家看上图的红色的标示。模拟输入和其他输入最大的区别：

1、没有连接TTL触发器，这样保留最原始的电压值，不是转换过后的0和1信号

2、数据连接的终点不一样，其他的输入我们都是读取输入寄存器的值，而模拟输入，数据直接送到片上外设，一般是ADC。

5、 推挽输出

推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件;推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。

上图就是推挽输出的过程。上图标示的“2”便是我们的输出寄存器，我们可以写入1或者0，如果写入1，图上的“3”上面的P-mos导通，N-mos截止，IO口等价直接连接在VDD上，所以IO口电平是高电平。同理输出寄存器的值为0时，P-mos截止，N-mos导通。IO口直接连接在VSS上，所有IO口电平为低电平。

大家可能会问图上标的1是什么？其实1的寄存器就是间接向输出寄存器写入。

用处：适合做一些开关控制，应为推挽输出可以快速的切换0和1，例如继电器，led等。

类比：51单片机没有类似的IO口

6、 开漏输出

开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内)

上图红色标示便是开漏输出的过程图，图上1和2的标示已经在推挽输出中介绍了，此处不再说明。开漏输出与推挽输出唯一的区别就是开漏输出只有一个N-mos管。当输出寄存器的值为0的时候，n-mos导通，IO口直接连接VSS，输出为低电平。当输出寄存器为1的时候，n-mos截止，IO口直接和输出端断开了，处于浮空状态。电平状态不可控制。

大家可能会说，这样设计不是傻缺么？有什么用设计这种输出方式。其实这种方式很有用的，请看下面的类比
　
类比：
　
我们都知道51单片机PO口，是不是想到什么了？对PO口就是类似的开漏输出，PO口作为输出的时候一定要加上拉电阻，加上上拉电阻后，输入寄存器为1的时候，n-mos截止截止了，好比IO和输出端断开，这是IO口点压就等于上拉电阻的电压。这样变输出了高电平，如果IO口的高电平，连接到了外设低电平的，就会产生电流，电流不会流到IO口，（N-mos管截止了）直接流到外设。是不是增大了驱动能力了。（IO口的驱动能力有限，不能容忍大电流）。
　
通过改变上拉电阻的大小和电压就能完成很多功能。

开漏形式的电路有以下几个特点：

1. 利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。

2. 一般来说，开漏是用来连接不同电平的器件，匹配电平用的，因为开漏引脚不连接外部的上拉电阻时，只能输出低电平，如果需要同时具备输出高电平的功能，则需要接上拉电阻，很好的一个优点是通过改变上拉电源的电压，便可以改变传输电平。比如加上上拉电阻就可以提供TTL/CMOS电平输出等。（上拉电阻的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度 。阻值越大，速度越低功耗越小，所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。）

3. OPEN-DRAIN提供了灵活的输出方式，但是也有其弱点，就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电，所以当电阻选择小时延时就小，但功耗大；反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求，则建议用下降沿输出。

4. 可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。补充：什么是“线与”？：

在一个结点(线)上, 连接一个上拉电阻到电源 VCC 或 VDD 和 n 个 NPN 或 NMOS 晶体管的集电极 C 或漏极 D, 这些晶体管的发射极 E 或源极 S 都接到地线上, 只要有一个晶体管饱和, 这个结点(线)就被拉到地线电平上. 因为这些晶体管的基极注入电流(NPN)或栅极加上高电平(NMOS),晶体管就会饱和, 所以这些基极或栅极对这个结点(线)的关系是或非 NOR 逻辑. 如果这个结点后面加一个反相器, 就是或 OR 逻辑.

其实可以简单的理解为：在所有引脚连在一起时，外接一上拉电阻，如果有一个引脚输出为逻辑0，相当于接地，与之并联的回路“相当于被一根导线短路”，所以外电路逻辑电平便为0，只有都为高电平时，与的结果才为逻辑1。

该图中左边的便是推挽输出模式，其中比较器输出高电平时下面的PNP三极管截止，而上面NPN三极管导通，输出电平VS+；当比较器输出低电平时则恰恰相反，PNP三极管导通，输出和地相连，为低电平。右边的则可以理解为开漏输出形式，需要接上拉。