最新成果展示：HEMT 3D仿真模型成功交付并投入使用 / 开普饭

EEWORLD 电子资讯犀利解读技术干货每日更新 Proteus 不仅具有其它EDA工具软件的仿真功能,还能仿真单片机及外围器件,它是非常给力的仿真单片机及外围器件的工具.从原理图布图.代码调试 ...

摘要 : 基于动态负载线GaN HEMT大信号模型和负载牵引技术设计并制作了一款工作在2 GHz的高效率谐波调谐功放.在晶体管寄生参数和封装参数未知的情况下,通过负载牵引技术初步确定满足性能要 ...

GaN HEMT发展现状 1993年M.A.Khan等人制备了第一只氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),随后GaN HEMT在高频微波大功率方面开展了广泛的研究,经过后续十几年的研究发展,解 ...

摘要: 为了满足不同通信标准的要求,利用氮化镓高电子迁移率晶体管器件设计了一个高线性度宽频带低噪声放大器.低噪声放大器采用两级电阻负反馈结构,利用集总参数元件和微带线对低噪声放大器的输入和输出匹配网络 ...

各行各业如今都在追求"效率""能效",电源.功率相关的应用上,更高的效率意味着更高的功率密度:包括追求体积更小的解决方案,并确保所需的功率级;包括数据中心.电动 ...

GaN是第三代半导体材料,不仅是重要的发光材料,也是GaN HEMT器件的基础材料.GaN HEMT器件使用的GaN材料技术和LED使用的GaN技术同根同源.GaN HEMT器件是虚拟现实.5G传输. ...

最新成果展示:利用极化效应实现自驱动模式的GaN基紫外光电探测器紫外光电探测器在导弹预警.火灾检测.公共安全和环境检测等领域具有广泛的用途.基于肖特基金属接触电极的MSM结构紫外探测器由于制备工艺相 ...

最新成果展示:CdSe/ZnS量子点垂直腔半导体激光器光泵浦计算模型 CdSe/ZnS量子点垂直腔半导体激光器(QD VCSEL)凭借高增益.低阈值电流.片上集成度高.光谱单色性好等优点在诸多领域极具 ...

最新成果展示:Ga2O3-SBD计算模型近年来,Ga2O3材料凭借着优越的电学与光学特性,愈发引起了研究人员的强烈关注,同时被广泛地应用于各类高功率半导体器件与光电子器件.因此,借助于计算软件对其内 ...

量子位19小时前关注用脑机接口控制大脑编者按:本文来自微信公众号"量子位"(ID:QbitAI),作者:杨净明敏,36氪经授权发布. 用脑机接口控制大脑,是一种什么体验? ...

香港商报讯一种新型技术处理的面料被发现在实验条件下可以100%灭杀新冠病毒,应用在口罩等卫护产品上具有长时间的高效保护作用.目前,应用该面料的口罩.手套.防护服等产品已经实现量产.27日,圣泉集团对 ...

随着雷达探测技术的不断发展,军事单位的电磁隐身特性成为各国军事研究的核心课题.作为最常使用的隐身技术之一,电路模拟雷达吸波材料得到了快速发展与应用.但雷达探测天线性能的日益进步,对吸波材料的工作带宽和 ...

仅做学术分享,如有侵权,联系删除转载于 :专知来自DeepMind的研究科学家Petar Veličković给了关于<图表示学习算法推理>的报告,共46页ppt,详述了神经图算法推理 ...

激发免疫系统识别和消除癌细胞的癌症疫苗近来得到了广泛的关注.科学家们正在研究一系列的策略,包括利用免疫细胞.肿瘤细胞.肿瘤相关蛋白或其较小的成分制造疫苗. 迄今为止,开发有效.持久的抗肿瘤疫苗一直是一 ...

近日,中山大学附属第三医院耳鼻咽喉头颈外科杨钦泰教授(通讯作者)团队联合清华珠三角研究院韩蓝青教授(共同通讯)和任勇研究员(共一),我校附属第三医院病理科邵春奎教授和陈健宁教授(共一),中山眼科中心林 ...

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