氟化锂（LiF）晶体基片可定制 / 开普饭

锗(Ge) 用途:制作半导体器件,红外光学器件,及太阳能电池衬底等材料. 主要性能参数生长方法提拉法晶体结构立方晶格常数a=5.65754 Å 密度5.323g/cm3 熔点937.4℃ 掺杂 ...

氧化铝(Al2O3)陶瓷基片描述:陶瓷基片,又称陶瓷基板,是以电子陶瓷为基的,对膜电路元件及外贴切元件形成一个支撑底座的片状材料.陶瓷基片具有耐高温.电绝缘性能高.介电常数和介质损耗低.热导率大.化 ...

碲化铋(BiTe3)是V-VI主族元素化合物,具有较大的分子质量,在热电转换,拓扑绝缘性能研究,相变存储等领域有着广泛的用.碲化铋是目前常温热电材料中热电转换性能较好的材料. 碲化铋纳米线合成步骤: ...

描述: 铝酸锶镧晶体基片从熔点温度直至低温下均无孪晶及相变,与高温超导体YBCO具有相同的结构,<001>面与其它衬底相比与YBCO<001>具有适中的晶格失配(2.5~3.5 ...

描述:镓酸钕(NdGaO3)晶体基片是近十年中发展起来的新型基片,主要用作高温超导体(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生长用基片.由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小(~0.27%),且无结构相变 ...

掺钕钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构.目前我们可以提供掺铁浓度为:0.05%,0.05%的Nd:SrTiO3的单晶基片主要性能参数晶系立方晶系生长方法火焰法晶格常数a=3.905Å掺钕浓度(Nd%)0 ...

铝酸镁钪(ScMgAlO4) ScAlMgO4晶体是最近发展起来的一种GaN和ZnO异质外延用理想的衬底材料,是目前与GaN和ZnO晶格失配最小的新型衬底材料.ScAlMgO4晶体属于六方晶系,晶格常 ...

SOI 晶体材料描述:SOI是将一薄层硅置于绝缘衬底上.基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流,提高开关速度,降低功耗,实现高速.低功耗运行.外形尺寸4英寸:6英寸:8英寸工艺Smar ...

GaSb单晶基片 GaSb可以作为衬底材料用作制备适合某些红外光纤传输的激光器和探测器,GaSb也被预见具有晶格限制迁移率大于GaAs,使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景.GaSb单晶基片Ga ...

描述:红外光谱用于分析化学中的光谱区段是中红外区,即波数4000~400cm-1的范围内.KBr在中红外区没有吸收,用它来压片测定不会对样品信号产生干扰,而别的会对测定结果产生影响. 晶体名称溴化钾( ...

Si 用途:用作半导体材料,大功率晶体管,整流器,太阳能电池等.主要性能参数晶体结构面心立方熔点(℃)1420密度2.4(g/cm3)掺杂物质不参杂掺B掺P类型N或PPN电阻率>1000Ω ...

氟化锂（LiF） 晶体基片 可定制