瑞禧定制耦合GaN/纤锌矿构状InGaN/应变量子点/InP/C3N4量子点 / 开普饭

比利时独立研究所Imec于2020年1月成功在300mm Si衬底上形成了GaAs异质结双极晶体管(HBT)器件,并在200mm Si衬底上成功形成了与CMOS兼容的GaN器件. 两者都是为用于5G及 ...

隧穿结是半导体器件中的重要组成部分,根据载流子的输运原理可分为带内隧穿结(intraband tunnel junction)和带间隧穿结(interbandtunnel junction). 带内隧 ...

编辑推荐:作者发现氢氟酸和氯化锌添加剂通过消除ZnSe晶体结构中的层错来提高发光效率.此外,通过液体或固体配体交换的氯化物钝化导致缓慢的辐射复合.高的热稳定性和有效的电荷传输特性. 利用量子点实现精确 ...

西安瑞禧生物科技有限公司可以提供四种不同核壳结构的荧光量子点产品,分别是CdS/ZnS,CdSe/ZnS.InP/ZnS.ZnSe/ZnS,这些我们又分为水溶性的和脂溶性的荧光量子点产品,并且表面可以 ...

硅酸盐 Ba(SiO)/Sr2MgSi2O7/SrMgSi2O6长余辉发光材料长余辉发光涂料还可用于地铁.人防工程.摩天大楼.大型市政建筑.矿山等的紧急逃生指示标志,弱光照明系统以及建筑的美术绘图. ...

最新成果展示:CdSe/ZnS量子点垂直腔半导体激光器光泵浦计算模型 CdSe/ZnS量子点垂直腔半导体激光器(QD VCSEL)凭借高增益.低阈值电流.片上集成度高.光谱单色性好等优点在诸多领域极具 ...

石墨烯量子点制备方法介绍:目前用来制备GQDs 的方法一般可以分为两类: 自上而下法(Top-down)自下而上法(Bottom-up)Top-down法Top-down 法主要包括强酸氧化法.水热法 ...

编辑推荐:本文研究了不同电子阻挡层对GaN基绿光发光二极管的效率影响.采用常规AlGaN.梯度AlGaN.四元AlGaN和三元AlInN电子阻挡层,对每种器件的性能进行了评价.介绍了器件的载流子输运. ...

CdSe/ZnS量子点发光二极管(QD LED)模型成功开发依托Crosslight先进的仿真设计平台,天津赛米卡尔科技有限公司技术团队成功开发出CdSe/ZnS量子点发光二极管(QD LED)模型 ...

氮化碳(C3N4)具有多种同素异形体,其中具有类石墨烯二维片层结构的C3N4(简称g-C3N4)最稳定.类石墨相的氮化碳不含金属,没有毒性,在地球中储量丰富,易于合成,并且具有良好的化学与热稳定性.类 ...

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