三星量产eMRAM存储器:比eFlash快1000倍,功耗更低
相关推荐
-
MRAM芯片比其它存储器优势较明显
对于存储器而言,重要的技术指标无非就是速度.是否为非易失性.功耗.成本.体积.寿命等.前已经有很多种类的产品做出了各种各样的努力,但是始终只能偏重某一方面,而不是面面俱到.也许大家最为看重的是MRAM ...
-
联发科要暴打高通了?曝天玑2000性能持平骁龙898,功耗却低20%
我们都知道,目前虽然手机处理器纸面上有蛮多家的,但像华为的麒麟,苹果的A系,还有三星猎户座基本都在自家手机上搭载.只有高通和联发科这两家芯片,所有手机都可以采用,而在普适性上高通又领先联发科几个身位. ...
-
存算一体
存算一体打破了运行70年的冯诺依曼架构,将成为AI时代主流的计算架构.存算一体正处于学术界向工业界迁移的关键时期. 存算一体技术(PIM :Processing in-memory),它将存储和计算有 ...
-
三星量产eUSF3.0闪存芯片:速度2.1GB/s,容量高达512GB
随着人们对智能手机的要求越来越高,存储芯片厂商以及手机厂商使用了很多方式来提高手机的存储性能以平衡手机的整体性能.苹果通过使用PC平台的nvme技术来大幅提高手机的存储容量和速度.而更普遍的做法是通过 ...
-
三星量产15.6英寸4K OLED屏幕,3400万色、600nits、100�I-P3
如果你有关注年初CES 2019上的新款笔记本,可能想起有多家笔记本厂商展示了4K分辨率的OLED屏幕笔记本,而背后的屏幕供应商渐渐浮出水面.那很大概率就是三星屏幕了,昨日Samsung Displa ...
-
三星量产第二代LPDDR4X内存:1y nm、性能不变、功耗再降10%
今天三星在官网正式宣布,第二代10nm级别工艺的LPDDR4X内存已经大规模量产,这款产品专门是针对高端智能手机以及对功耗民敏感的额移动设备开发的,可以保持原本LPDDR高达4266MHz速度下,功耗 ...
-
三星量产第五代V-NAND闪存:90层堆栈,QLC闪存在路上
2018年各大NAND厂商都已经大规模量产了64层堆栈的3D NAND闪存,以TLC闪存为主,下一代闪存的堆栈层数要继续提升50%达到96层级别.三星今天宣布量产第五代V-NAND闪存,业界首发Tog ...
-
三星量产10nm工艺笔记本DDR4内存,单条可达32GB、2666MHz
今日三星在官网宣布量产10nm工艺内存颗粒的SO-DIMM规格DDR4内存,单条最大32GB,频率最高可达2666MHz,同时运行功耗将可以下降39%之多. 以往在SO-DIMM上实现32GB内存十分 ...
-
三星量产第五代HBM 2显存:提高工作频率、降低功耗
三星宣布开始生产第五代HBM 2显存"Aquabolt",这是目前全球速度最快的HBM 2显存,速度提升至2.4GHz水平.三星表示在人工智能.图形处理器市场上对于显存出现了更高的 ...
-
三星量产第一款物联网芯片Exynos i T200,进军IoT领域
物联网专用芯片在半导体市场快速成长,巨头们当然都不想错过这块"大肥肉",三星第一款IoT物理网SoC Exynos i T200目前已经开始大规模生产,该芯片集成了两个MCU.wi ...
-
三星量产BGA封装512GB NVMe SSD,主要面向极致超薄笔记本
三星发布了512GB大容量NVMe SSD,而且面积却更小,主要面向超薄笔记本.平板,近日他们宣布进入量产,本月就可以供应. 这年头连游戏笔记本都要先轻薄化发展,本本内部空间是寸土寸金,所以大多开始用 ...
-
三星量产UFS 2.0闪存模块,三星Note6机身容量可达256GB
三星正式开始大规模生产第一款256GB的UFS 2.0闪存芯片,持续读写分别能够达到850/260 MB/s,4K随机的IOPS值更高达45000和40000,传输效率是上代UFS芯片的两倍. 小米发 ...
