polycide,silicide,salicide三者区别

Polysilicon--silicon with randomly orientated grains where each grain is made up ofcrystalline silicon.

silicide--acompound of metal and silicon. Silicides may be easily formed by thermallyreacting a variety of metal with silicon and are widely used as contacts tosilicon and conductors.

SelfAligned Silicide --a silicide process where an oxide or nitride layer withopening down to silicon is used to allow silicide to only form in selectedareas.

在次微米技术中，为了克服所谓热载子(Hot-Carrier)问题而发展出LDD(Lightly-DopedDrain)制程与结构; 为了降低CMOS组件漏极(drain)与源极(source)的寄生电阻(sheetresistance)Rs 与 Rd，而发展出Silicide制程; 为了降低 CMOS组件闸级的寄生电阻 Rg，而发展出Polycide 制程 在更进步的制程中把Silicide与 Polycide 一起制造，而发展出所谓Salicide制程。

polycide:降低栅极电阻

silicide：降低源漏电阻

salicide：既能降低栅极电阻，又能降低源漏电阻

首先，这三个名词对应的应用应该是一样的，都是利用硅化物来降低POLY上的连接电阻。但生成的工艺是不一样的，具体怎么用单独的中文区分，现在我也还没看到相应资料，就暂且沿用英文的了。 其中，

SILICIDE就是金属硅化物，是由金属和硅经过物理－化学反应形成的一种化合态，其导电特性介于金属和硅之间，而POLYCIDE和SALICIDE则是分别指对着不同的形成SILICIDE的工艺流程，下面对这两个流程的区别简述如下：

POLYCIDE： 其一般制造过程是，栅氧化层完成以后，继续在其上面生长多晶硅(POLY-SI），然后在POLY上继续生长金属硅化物（silicide），其一般为 WSi2（硅化钨）和TiSi2 （硅化钛）薄膜，然后再进行栅极刻蚀和有源区注入等其他工序，完成整个芯片制造。

SALICIDE:它的生成比较复杂，先是完成栅刻蚀及源漏注入以后，以溅射的方式在POLY上淀积一层金属层（一般为Ti,Co或Ni），然后进行第一次快速升温煺火处理（RT

A），使多晶硅表面和淀积的金属发生反应，形成金属硅化物。根据煺火温度设定，使得其他绝缘层（Nitride 或Oxide）上的淀积金属不能跟绝缘层反应产生不希望的硅化物，因此是一种自对准的过程。然后再用一中选择性强的湿法刻蚀（NH4OH/H2O2/H20或H2SO4/H2O2的混合液）清除不需要的金属淀积层，留下栅极及其他需要做硅化物的salicide。另外，还可以经过多次煺火形成更低阻值的硅化物连接。

跟POLYCIDE不同的是，SALICIDE可以同时形成有源区S/D接触的硅化物，降低其接触孔的欧姆电阻，在深亚微米器件中，减少由于尺寸降低带来的相对接触电阻的提升。另外，在制作高值POLY电阻的时候，必须专门有一层来避免在POLY上形成SALICIDE，否则电阻值就上不了。

SAB指的是salicideblock

Salicide中文翻译过来就叫硅化物，其实是比较薄的一层金属和多晶的合金体，其主要目的是在多晶硅或者diffusion表面相对比较薄的一层上面生长出一层（或者是淀积）金属－硅的硅化物，目的是降低多晶上的电阻率。

SAB层用来阻止sailicide的生成，从而得到阻值较高的diffusion或者poly。常用在poly电阻，diffusion电阻，ESDdevice的Drain端，提高其电阻和耐压。