雷光寅博士：功率半导体模块对先进陶瓷基板的需求（报告） / 开普饭

伴随着功率器件(包括LED.LD.IGBT.CPV等)不断发展,散热成为影响器件性能与器件可靠性的关键技术.选用合适的封装材料与工艺.提高器件散热能力就成为发展功率器件的问题所在.如果不能及时将芯片发 ...

2006年,美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),4GHz时的输出功率密度达到 41.4W/mm.近十多年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业. 氮化镓 ...

禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构.禁带越宽,意味着电子跃迁到导带所需的能量越大,也意味着材料能承受的温度和电压越高,越不容易成为导体:禁带越窄,意味着电子跃迁到 ...

IGBT单管封装较模块小,电流通常在100A以下,常见有TO247 等封装,而将多个IGBT集成封装在一起就成为IGBT功率模块,它是采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术, ...

近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业｡ GaN具有禁带宽度大(室温下为3.39eV)､击穿电场强度高(3.3MV/cm)､饱和电子速度大(2.5×107cm/s)､热导率高(1.5 ...

2019年国内10大半导体功率器件企业,其中有8大已经在A股上市,闻泰科技并购控股的安世半导体名列前茅,扬杰科技.华润微等具有芯片研发.封测.制造等综合能力的企业紧随其后,只是不知道为什么没有看到士兰 ...

作者:Disciples 来源:功率半导体那些事儿 "一千个人眼里有一千个哈姆雷特",任何一个事物从不同的方向深入都会有不同的见解,更何况IGBT这么一个横向纵向都涉及得太多 ...

IGBT是实现电能转换与控制的电子元件,也是能源变换与传输的核心器件,通俗理解为电子装置的"CPU",不同电压级别的IGBT模块(IGBT模块是将多个IGBT集成封装在一起),能应 ...

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在许多不同的行业中,都应用得上功率半导体,它是电子产品的基础元器件之一.近年来,多个行业都往电子化的方向发展,该器件的社会需求也变得越来越大了. 而与此同时,该器件主要由欧洲.美国.日本这3个国家和地 ...

雷光寅博士：功率半导体模块对先进陶瓷基板的需求（报告）