工艺仿真+器件仿真助力SiC基Trench MOSFET模型的开发与机理研究 / 开普饭

最近,某碳化硅企业在线上活动透露,6寸碳化硅晶圆的价格为2-3万元/片,可以做成350-700颗车规级SiC Mosfet.目前碳化硅器件价格大约是硅器件的4-5倍.有机构预测,2025年碳化硅器件的 ...

本文根据电子科技大学张波教授<功率半导体技术>公开课听写整理而成,对IGBT等器件.GaN等材料及BCD工艺进行了详细阐述.了解更多半导体及半导体封装相关内容,敬请关注本周六晚八点CEIA ...

中国电工技术学会活动专区 CES Conference 作者介绍刘平,湖南大学电气与信息工程学院副教授,博士生导师.主要研究方向为电动车辆高性能电力电子变换与电机驱动控制等. 2001~2013年重 ...

掺磷多晶硅的干法刻蚀工艺研究碳化硅(SiC)材料是目前世界上公认的绿色高效的新型半导体材料,具有宽禁带宽度.高击穿电场.高热导率.高饱和电子漂移速度.抗辐射能力强以及化学性质稳定等优势,使得SiC成 ...

2017第十二届中国电工装备创新与发展论坛会议由中国电工技术学会主办,定于2017年8月19-21日在北京铁道大厦召开,本届大会主题为"电网技术创新与电能新业态".浏览会议详情和 ...

摘要输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)的研究人员周林.李寒江.解宝.李海啸.聂莉,在2019年第20期<电工技术学报>上撰文指出,SiC MOSFET高频.高效.高功 ...

近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点. 抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料.器件.封装模块和系统开发的自主 ...

浅谈Ga2O3功率半导体器件仿真技术的难点目前,以GaN和SiC为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大.临界电场高和电子饱和漂移速度快等优势,突破了硅与传统化合物材料(GaAs.InP等)技术发展的 ...

成果展示:SiC基IGBT模型(ver.1.0) 作为十四五规划和2035年远景目标中科技前沿领域重点攻关方向,碳化硅(SiC)基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)肩负众望.尽管目前碳化硅功率MOSFET ...

随着人口持续增长,养殖业的可持续性已成为全球热议的话题.跨国食品供应商如泰森(Tyson).雀巢(Nestle)和嘉吉(Cargill),以及野心勃勃的风险资本纷纷下注更为可持续的生产和消费蛋白质的方 ...

近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业｡ GaN具有禁带宽度大(室温下为3.39eV)､击穿电场强度高(3.3MV/cm)､饱和电子速度大(2.5×107cm/s)､热导率高(1.5 ...

从植物奶到植物肉,近年来,整个植物基食品的风头只增不减,随着入局者的增多,如何突破技术壁垒,打出差异化,在行业巨头手下抢占市场,成了新锐品牌们的痛点. 赵绍辉天野酶制剂应用技术部经理江南大学生物 ...

摘要:热电材料是一类利用固体内部载流子的移动来实现电能和热能相互转化的材料,在温控.温差发电.汽车尾气和工业余热的回收利用等领域具有非常广阔的应用前景.聚合物材料具有本征低热导率,很好的溶液加工性能, ...

成功开发了SiC单片功率集成电路 - -世界第一! 将SiC纵型MOSFET和SiC CMOS单片集成化- 重点将SiC立式MOSFET和SiC CMOS集成在一个芯片上,验证了开关动作通过开发独 ...

我国钢铁生产以高炉-转炉长流程为主,严重依赖煤基化石能源,这是导致我国钢铁产业高能耗.高碳排放的首要因素.绿色发展水平与生态环境需求不匹配已成为钢铁工业面临的主要矛盾.降低CO2排放强度是钢铁产业亟待 ...

工艺仿真+器件仿真助力SiC基Trench MOSFET模型的开发与机理研究