Everspin开始生产1Gb容量STT-MRAM存储器：容量再次突破、采用28nm工艺制造 / 开普饭

STT-MRAM是一种颠覆性技术,可以在从消费电子和个人计算机到汽车和医疗,军事及太空等许多领域,改变产品的性能.它还有潜力在半导体工业中创造新的领域,并使尚未设想的全新产品成为可能.STT-MRAM ...

"持久性存储器"通常是指驻留在存储器总线上的高性能.字节可寻址.非易失性存储器设备.MRAM(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)都声称具有相似的性能优势:低电压操作.长寿命和 ...

日本东北大学现任校长Hideo Ohno领导的研究小组开发出了世界上最小(2.3nm)的高性能磁隧道结(MTJ).该工作有望加速推进物联网.人工智能.汽车等各种应用的超高密度.低功耗.高性能非易失性存 ...

Everspin公司型号EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存储器,在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性.该设备能够以高达1333M ...

Everspin一款串口mram芯片,型号为MR25H10CDF,工作温度范围:-40℃to+85℃,是一款工业级别的存储芯片,可用于工控设备的应用,特别是对温度有严格要求的应用,存储容量1Mb(12 ...

来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)编译自「resend」,谢谢. 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 是一种非易失性存储器技术,它依赖于两个铁磁层的(相对)磁化状态来存储二进制信息.多年来 ...

Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用.Everspin MRAM应用在数据中心和云存储.汽车和运输市场.MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术.MRAM具有成为通 ...

MRAM,即磁阻式随机访问存储器的简称,兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性.STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM,属于MRAM的二代产品,解决了MRAM写入信息存 ...

MRAM(Magnetoresistance Random Access Memory)是利用以奈米级磁性结构特有的自旋相关传输为基础的磁电阻效应所得到的一种新颖的非挥发性固态磁存储器.随着自旋隧道结 ...

Everspin Technologies,Inc是设计制造MRAMSTT-MRAM的翘楚,其市场和应用领域涉及数据持久性和可靠性.完整性,低延迟和安全性至关重要.Everspin在数据中心,云存储, ...

MRAM是一种非易失性存储技术,可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年.它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用.基于MRAM的设备可以为"黑匣子"应用提供解决方案,因 ...

电池对于电动汽车来说是非常重要的一个部件,关乎车辆的使用性能,车辆的续航里程,随着技术的不断的发展,车辆动力电池技术也在不断的提高,电池的容量密度也是在增长的,当然车辆的寿命也会随着电池的密度的增加, ...

在所有的电路里面,只有4种最基本的电路元件:电阻.电容.电感和二极管.其中数量最庞大的是二极管. 二极管,实际上就是一个单向导电的,类似阀门的东西. 因为单向导电,所以它就能做成一种开关电路,从而执行 ...

新进工艺师精品推荐-[福临八方] 泥料:家藏紫泥容量:400cc 作者:蒋岳军国家级工艺美术师

使用过U盘的朋友一定都会知道,U盘的实际容量往往是达不到它标称容量的.例如一个16G的U盘,其实际容量一般只有14.7G左右.但是里头的原因究竟为何呢?下面我们就来了解下其中的奥秘. 原因一:计算方法 ...

Everspin MRAM是面向数据持久性和完整性.低延迟和安全性至关重要的市场和应用的翘楚.MR20H40CDF是位宽512Kx8的非易失性存储器MRAM,对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数 ...

产品描述 MR3A16A是一款MRAM非易失性存储器,位宽为512K x 16.MR3A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序,具有无限的耐久性.数据在20年以上始终是非易失性的.低压禁止电路 ...

Everspin开始生产1Gb容量STT-MRAM存储器：容量再次突破、采用28nm工艺制造