嵌入式存储的下一步：STT-MRAM / 开普饭

阐明了磁性材料中自旋转换的机理- -由于自旋转换效率的大幅提高,适用于非易失性磁存储器的途径- 重点阐明了磁性材料中自旋转换现象的详细机制通过控制界面的磁性材料,成功将自旋转换效率提高了约3倍用 ...

MRAM磁阻式随机存储芯片作为下一代存储芯片,近几年也是备受关注.从今年年初开始已经有如英特尔.三星等厂商宣布将量产MRAM存储芯片.现在又有一家叫做Everspin的公司宣布旗下的MRAM存储芯片进 ...

Everspin公司型号EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存储器,在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性.该设备能够以高达1333M ...

MRAM(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)都声称具有相似的性能优势:低电压操作.长寿命和非常高的速度.他们以不同的方式实现这些目标,尽管在每种情况下,性能突破背后都有创新的材料技术. MR ...

来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)编译自「resend」,谢谢. 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 是一种非易失性存储器技术,它依赖于两个铁磁层的(相对)磁化状态来存储二进制信息.多年来 ...

Everspin自成立之初就一直在研究MRAM磁阻式随机存储器,在近几年MRAM存储器的容量也有了很大的提升,相对大容量的MRAM存储器也开始量产,这也意味着MRAM存储器可以进入更广泛的应用场景.所 ...

日本东北大学现任校长Hideo Ohno领导的研究小组开发出了世界上最小(2.3nm)的高性能磁隧道结(MTJ).该工作有望加速推进物联网.人工智能.汽车等各种应用的超高密度.低功耗.高性能非易失性存 ...

MRAM(Magnetoresistance Random Access Memory)是利用以奈米级磁性结构特有的自旋相关传输为基础的磁电阻效应所得到的一种新颖的非挥发性固态磁存储器.随着自旋隧道结 ...

STT-MRAM是一种颠覆性技术,可以在从消费电子和个人计算机到汽车和医疗,军事及太空等许多领域,改变产品的性能.它还有潜力在半导体工业中创造新的领域,并使尚未设想的全新产品成为可能.STT-MRAM ...

IEDM 2019 本届会议有七篇重要的STT-MRAM论文描述了该技术的进展.现在介绍如下: 1．工业应用中可靠的1Gb独立自旋转扭矩MRAM Sanjeev Aggarwal等,Everspin ...

嵌入式存储的下一步：STT-MRAM