Everspin代理非易失性1Mb串行SPI MRAM--MR25H10MDFR / 开普饭

MRAM磁阻式随机存储芯片作为下一代存储芯片,近几年也是备受关注.从今年年初开始已经有如英特尔.三星等厂商宣布将量产MRAM存储芯片.现在又有一家叫做Everspin的公司宣布旗下的MRAM存储芯片进 ...

Everspin自成立之初就一直在研究MRAM磁阻式随机存储器,在近几年MRAM存储器的容量也有了很大的提升,相对大容量的MRAM存储器也开始量产,这也意味着MRAM存储器可以进入更广泛的应用场景.所 ...

日本东北大学现任校长Hideo Ohno领导的研究小组开发出了世界上最小(2.3nm)的高性能磁隧道结(MTJ).该工作有望加速推进物联网.人工智能.汽车等各种应用的超高密度.低功耗.高性能非易失性存 ...

MRAM(Magnetoresistance Random Access Memory)是利用以奈米级磁性结构特有的自旋相关传输为基础的磁电阻效应所得到的一种新颖的非挥发性固态磁存储器.随着自旋隧道结 ...

MRAM是一种非易失性存储技术,可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年.它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用.基于MRAM的设备可以为"黑匣子"应用提供解决方案,因 ...

CYPRESS提供全面的铁电RAM非易失性存储器产品组合,可在断电时立即捕获和保存关键数据.在关键任务数据记录应用中,例如需要高可靠性控制和吞吐量的工厂车间的高性能可编程逻辑控制器 (PLC),或以低 ...

一般来说,存储结构设计的核心是确保磁性隧道结所表征的数据可以快速读出,并且能够根据需要快速进行改变,另外还有一些工程上的设计比如堆叠设计.数据密度提升等.而在数据读写方面,还会存在使用磁场写入法和电流 ...

内存耐久度指定为存储单元可以写入或擦除的次数.对于尽管严格和广泛使用仍需要高数据完整性的应用程序,内存耐用性是关键的系统性能特征和设计考虑因素之一.铁电RAM或FRAM是一种快速,非易失性和低功耗的存 ...

数年来,诸如投币游戏机和视频扑克机等游戏机一直是游戏行业的基础.通常这些游戏机的普及程度取决于赢钱的可能性,游戏机的可靠性以及游戏机的娱乐价值.相对于其他可用游戏选项的游戏机. 当前基于微处理器的 ...

阐明了磁性材料中自旋转换的机理- -由于自旋转换效率的大幅提高,适用于非易失性磁存储器的途径- 重点阐明了磁性材料中自旋转换现象的详细机制通过控制界面的磁性材料,成功将自旋转换效率提高了约3倍用 ...

今年7月Intel表示,在2019年将会和美光发布第二代3D Xpoint产品后,因为两家公司业务需求不同.技术优化方法不一样,将会彻底分家,Optane.QuantX将会成为3D Xpoint技术的 ...

Intel今日举行了内存存储日活动上,会议上正式发布了3DXpoint黑科技DDR4内存Optane DC Persistent Memory,一看名字就知道不是我们普通人能用上的,单条128GB起步 ...

赛普拉斯型号CY15B104Q-LHXI主要采用先进铁电工艺的4Mbit非易失性存储器.铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的,并且执行类似于RAM的读取和写入操作.它提供了151年的可靠数据保留, ...

Everspin代理非易失性1Mb串行SPI MRAM--MR25H10MDFR