【AET原创】如何拥抱下一代存储器MRAM
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MRAM,准备好成为主流了吗?
来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)编译自「resend」,谢谢. 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 是一种非易失性存储器技术,它依赖于两个铁磁层的(相对)磁化状态来存储二进制信息.多年来 ...
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阐明了磁性材料中自旋转换的机理- -由于自旋转换效率的大幅提高,适用于非易失性磁存储器的途径- 重点 阐明了磁性材料中自旋转换现象的详细机制 通过控制界面的磁性材料,成功将自旋转换效率提高了约3倍 用 ...
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嵌入式存储的下一步:STT-MRAM
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Everspin开始生产1Gb容量STT-MRAM存储器:容量再次突破、采用28nm工艺制造
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STT-MRAM的应用前景
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非易失性MRAM数据写入与读取
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【AET原创】瑞萨电子嵌入式闪存技术获新进展 新技术采用下一代28nm制程工艺
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叶映星舞原创:拥抱荒凉
<拥抱苍凉> 作者:叶映星舞 天凉好个秋, 一场秋雨一场寒. 自然遭遇冷清, 但也安享静爽. 多年的积淀,如化石峰耸. 可是,未来的某日, 也许就会风化. 点滴的流汇,如江河浩荡. 但是, ...
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【原创】拥抱阳光
第 243篇文章 图片:亦然 有人说,四季是时空的波动,季节便是波的起伏.我始终坚信:正是因为阳光的照射,才实现了四季的轮回,改变了四季的璀璨,成就了四季的绚烂. 穿越一个个时光的节点,历经 ...
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