三星霸气官宣！终于摘掉“千年老二”帽子：3nm芯片领先台积电

【3月19日讯】相信大家都知道，随着台积电、三星这两大芯片代工巨头成功量产了5nm工艺芯片以后，双方便纷纷官宣好消息，将会在2022年量产3nm工艺芯片产品，或许也是为了争夺3nm工艺芯片的全球首发权，所以三星、台积电都纷纷开始铆足了劲，不仅仅投入巨额的研发资金，同时还斥巨资向荷兰ASML公司采购先进的EUV光刻机设备，例如台积电，投入了高达200亿美元的巨资，用于研发3nm工艺芯片产品，而三星方面也非常大手笔，投入了高达32.9万亿韩元（约300亿美元）用于研发全新的3nm芯片产产品；

而就在近日，三星再次在IEEE国际集成电路会议上，霸气官宣，直接对外秀出了全新的3nm工艺制造的SRAM存储芯片，同时还透露了很多有关于3GAE工艺的一些细节，全新的环绕栅极晶体管（GAAFET）技术，也是要比台积电的3nm工艺技术要更加先进不少。

因为在芯片功耗、发热问题方面，环绕栅极晶体管（GAAFET）技术都要比目前的5nm工艺所采用的FinFET（鳍式场效应晶体管）更加领先，因为晶体管的电压会变得更小，所以静态功耗也将变得更小了，有助于进一步减少芯片产品中的CMOS晶体管的各种线路电流产生的静态功耗（又称漏电流功耗），之所以目前的5nm工艺芯片存在诸多问题，尤其是在发热、功耗方面；

高通骁龙888处理器更是出现了严重的翻车现象，这就是因为静态功耗（又称漏电流功耗）占到了整体芯片功耗的50%以上，漏电越严重，漏电功耗就越高；要知道对于手机芯片而言，发热、功耗过大都是最为致命的杀手，曾经的“火龙 810”处理器至今依旧让人感觉到害怕，

根据三星方面所公布的数据显示，3nm芯片产品电压只要0.23V即可，这也意味着3nm芯片的功耗、发热量都将会大大地降低，整体芯片晶体管密度可以增加80%，性能提升30%，功耗更是可以降低50%，当然这些都是“纸面数据”，最终的3nm芯片的综合表现如何，或许还是要等到芯片成品，才能够真是揭晓答案；

最后：对于“千年老二”三星这次霸气官宣，意味着一旦三星全面掌握全新的3nm芯片技术，那么三星或许能够摘掉“千年老二”的帽子，逆袭超越台积电，成为全球最大的芯片代工巨头，各位小伙伴们，你们对此都有什么样的看法和意见呢？欢迎在评论区中留言讨论，期待你们的精彩评论！

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