学术简报｜基于MOSFET外特性参量的自适应模糊神经网络状态评估模型 / 开普饭

成功开发了SiC单片功率集成电路 - -世界第一! 将SiC纵型MOSFET和SiC CMOS单片集成化- 重点将SiC立式MOSFET和SiC CMOS集成在一个芯片上,验证了开关动作通过开发独 ...

描述 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种半导体器件,广泛用于开关目的和电子设备中电子 ...

下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件.下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理 ...

一.功率MOSFET的正向导通等效电路 (1)等效电路 (2)说明: 功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效,该电阻与温度有关,温度升高,该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关,驱动电压升高, ...

SiC 基MOSFET可广泛地应用于并网逆变器.双有源桥双向直流变换器.电动汽车充电器.三相电机驱动器.固态断路器等领域:通过减小无源元件体积,可降低损耗和散热器体积,并极大程度上提高变换器的功率密度 ...

摘要华中科技大学电气与电子工程学院强电磁工程与新技术国家重点实验室.华中科技大学电气与电子工程学院电力安全与高效湖北省重点实验室.国网安徽省电力有限公司电力科学研究院的研究人员叶畅.苗世洪.李姚旺. ...

摘要输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)的研究人员周林.李寒江.解宝.李海啸.聂莉,在2019年第20期<电工技术学报>上撰文指出,SiC MOSFET高频.高效.高功 ...

摘要南京航空航天大学自动化学院电气工程系的研究人员庞古才.邓智泉.张忠明,在2019年第22期<电工技术学报>上撰文,通过在计算中引入复数气隙比磁导,对传统广义磁路法中的气隙磁阻进行了修 ...

摘要合肥工业大学机械工程学院.安全关键工业测控技术教育部工程研究中心的研究人员刘征宇.严鹏.武银行.许亚娟,在2019年第21期<电工技术学报>上撰文,基于任意单体间直接转移能量均衡拓扑 ...

摘要哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院的研究人员孟凡刚.满忠诚.高蕾.朱春波,在2019年第18期<电工技术学报>上撰文,为减小移相变压器的体积,提出一种基于电力电子移相变压器的12脉波 ...

摘要江苏省智能电网技术与装备重点实验室(东南大学)的研究人员吴海富.张建忠.赵进.张雅倩,在2019年第21期<电工技术学报>上撰文指出,随着宽禁带半导体器件的发展,SiC MOSFET ...

摘要新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)的研究人员颜湘武.王德胜.贾焦心,在2019年第19期<电工技术学报>上撰文指出,分散式微电网结构因为设备间无通信,具有成本低.稳定性好的 ...

摘要南京航空航天大学自动化学院.安徽皖南电机股份有限公司的研究人员张飞龙.王晓琳.顾聪.蒋小兵,在2019年第18期<电工技术学报>上撰文指出,传统电动汽车电机驱动和车载充放电系统相互独 ...

摘要新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学).国网山东省电力公司经济技术研究院的研究人员王洁聪.刘崇茹.徐东旭.朱毅,在2019年第18期<电工技术学报>上撰文指出,高电压模块化多电 ...

学术简报｜基于MOSFET外特性参量的自适应模糊神经网络状态评估模型