第四代半导体技术原理与优势，为何值得期待？ / 开普饭

半导体是一种介于导体与绝缘体之间的材料,它具有导电性可控的特点.当半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化,在纯净半导体中加入微量杂质,其导电能力会急剧增强.自科学家法拉第发现硫化银以来, ...

进入21世纪以来,随着摩尔定律的失效大限日益临近,寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫.在多位选手轮番登场后,有两位脱颖而出,它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)--并称为第三代半导体材料的 ...

近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点. 抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料.器件.封装模块和系统开发的自主 ...

GaN HEMT发展现状 1993年M.A.Khan等人制备了第一只氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),随后GaN HEMT在高频微波大功率方面开展了广泛的研究,经过后续十几年的研究发展,解 ...

第六届国际碳材料大会暨产业展览会金刚石论坛 2021年12月13-15日上海跨国采购会展中心 1 组织机构 Conference Committee 主办单位:DT新材料.中国超硬材料网承办单位 ...

禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构.禁带越宽,意味着电子跃迁到导带所需的能量越大,也意味着材料能承受的温度和电压越高,越不容易成为导体:禁带越窄,意味着电子跃迁到 ...

浅谈Ga2O3功率半导体器件仿真技术的难点目前,以GaN和SiC为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大.临界电场高和电子饱和漂移速度快等优势,突破了硅与传统化合物材料(GaAs.InP等)技术发展的 ...

第三代半导体材料以氮化镓.碳化硅.氧化锌.金刚石为代表,是5G时代的主要材料,其中氮化镓和碳化硅的市场和发展空间最大. 出品|每日财报作者|刘雨辰受到外围市场和国际环境的影响,A股近期走势非常弱, ...

来源:半导体器件应用网 [哔哥哔特导读]近日,英飞凌推出了面向30 W-500 W功率级应用的CoolGaN™ IPS系列产品,并举行CoolGaNTM IPS 第三代化合物半导体新品发布媒体沟通会. ...

2006年,美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),4GHz时的输出功率密度达到 41.4W/mm.近十多年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业. 氮化镓 ...

金刚石的"高贵" 说起"Diamond"给人第一印象是什么? 无疑是高贵优雅,晶莹剔透,尤其对于女性来说钻石是充满诱惑的,正如1948年戴比尔斯经典广告所宣传& ...

第四代半导体技术原理与优势，为何值得期待？